A type of semiconductor where the highest energy electron and lowest energy hole occur at the same momentum, allowing efficient light emission.

ऐसा अर्धचालक जिसमें उच्चतम ऊर्जा वाली इलेक्ट्रॉन और न्यूनतम ऊर्जा वाला होल समान संवेग पर पाए जाते हैं, जिससे प्रभावी रूप से प्रकाश का उत्सर्जन होता है।

English Usage: Gallium arsenide is a direct band gap semiconductor used in optoelectronic devices.

Hindi Usage: गैलियम आर्सेनाइड एक प्रत्यक्ष बैंड गैप अर्धचालक है जिसे ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में उपयोग किया जाता है।